11月27日，三安光電全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”），在長沙隆重舉行以“全‘芯’力量，共赴理想”為主題的三安碳化硅芯片上車儀式。此次活動不僅是對三安車規(guī)級碳化硅芯片在性能、可靠性及批量交付能力上獲得市場頂尖客戶認(rèn)可的重要見證，也標(biāo)志著三安與理想汽車自2022年開展合作以來，戰(zhàn)略協(xié)同取得實質(zhì)性突破，雙方合作正式進入規(guī)模化、深度化新階段。

儀式現(xiàn)場，湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍先生發(fā)表致辭。他表示：“此次碳化硅芯片的成功上車，是三安從技術(shù)攻堅邁向市場引領(lǐng)的關(guān)鍵一步。這一成果充分驗證了我們?nèi)a(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式在保障產(chǎn)品品質(zhì)與供應(yīng)鏈穩(wěn)定上的顯著優(yōu)勢。”江協(xié)龍強調(diào)，未來湖南三安將繼續(xù)堅定推進以“車規(guī)化、平臺化、高效能、全鏈自主”為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為理想汽車這樣的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)提供更領(lǐng)先、更可靠的功率半導(dǎo)體解決方案，共同推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步。

理想汽車動力驅(qū)動研發(fā)副總裁劉強博士對合作成果給予高度評價。他在發(fā)言中指出：“與三安的合作是理想汽車在核心電驅(qū)系統(tǒng)供應(yīng)鏈上進行前瞻性、深度布局的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。湖南三安在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局以及其新一代碳化硅芯片所展現(xiàn)出的卓越產(chǎn)品力，為理想汽車純電車型的研發(fā)落地和快速迭代提供了堅實的技術(shù)支撐。我們期待與三安持續(xù)深化合作，共同探索前沿技術(shù)應(yīng)用，攜手推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與變革。”

在隨后進行的技術(shù)交流環(huán)節(jié)中，湖南三安技術(shù)長許志維博士與理想汽車研發(fā)團隊圍繞碳化硅芯片在提升電驅(qū)系統(tǒng)效率、優(yōu)化充電性能以及未來平臺化應(yīng)用等前沿議題進行了深入研討。雙方技術(shù)專家一致認(rèn)為，基于湖南三安在8英寸襯底技術(shù)、低缺陷密度先進工藝方面的深厚積累，將為理想汽車高壓平臺車型的持續(xù)開發(fā)與性能升級提供強有力的核心芯片支持。為紀(jì)念這一具有里程碑意義的時刻，湖南三安向理想汽車贈送了象征其先進技術(shù)水平的8英寸SiC MOSFET芯片成品。這份特殊的禮物，不僅體現(xiàn)了湖南三安在寬禁帶半導(dǎo)體材料與芯片設(shè)計制造領(lǐng)域的領(lǐng)先實力，也寄托了對雙方未來合作邁向更廣闊領(lǐng)域、更高水平的誠摯祝愿與堅定信心。  

隨著雙方管理層及技術(shù)專家團隊合影留念，并展開更深入的戰(zhàn)略洽談，本次上車儀式圓滿落幕。以此為全新起點，三安將堅定不移地朝著“成為世界級化合物半導(dǎo)體研發(fā)、制造與服務(wù)平臺”的愿景邁進。在未來三至五年，公司將持續(xù)加大在車規(guī)級SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務(wù)平臺領(lǐng)域的研發(fā)投入，全力加速8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡與良率提升，進一步鞏固其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心競爭優(yōu)勢。

此次碳化硅芯片的成功“上車”，不僅是湖南三安的一個重要交付里程碑，更象征著雙方攜手共進、共赴“理想”新征程的開端。三安將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為核心引擎，積極賦能綠色出行，鏈接智慧未來，為全球汽車產(chǎn)業(yè)的電動化轉(zhuǎn)型貢獻堅實的“芯”力量。