6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制造與應用測試大會在無錫市錫山圓滿舉行。大會以“穿越周期，韌性增長”為主題，解構SiC市場增長確定性與新業態模式、前沿技術趨勢以及落地應用進程，近千名產業鏈技術專家齊聚。
會上，三安應用技術總監姚晨發表了精彩的技術報告。報告首先基于SiC寬禁帶材料的特點，剖析了SiC二極管與MOSFET器件耐高電壓、高頻、高溫的特性，以及其在新能源汽車、電源領域的應用優勢。隨后指出了當前影響SiC功率器件更大范圍推廣應用的關鍵痛點，如成本、可靠性、短路、驅動等問題，并說明了行業解決方案。
在報告的核心部分，姚晨根據三安全產業鏈的企業特點，分別從晶圓、外延、芯片、封裝以及應用多個方面詳細闡述了SiC功率器件對于半導體先進技術與工藝的需求。他認為，要充分發揮SiC功率器件的潛力、開拓更廣范圍的應用市場占比，必須突破現有技術與工藝的局限，如8英寸晶圓的量產與切割、高質量低缺陷的外延、柵氧可靠的低比導通電阻芯片以及耐高結溫且功率循環壽命高的先進封裝。他強調了三安在技術研發和工藝創新方面取得的突破，并指出垂直整合模式在先進技術與工藝的持續驗證與迭代方面具有顯著優勢，可以實現無縫銜接的反饋，促進健康閉環。此外，他還分享了三安在SiC功率器件領域的最新進展，包括已成功開發出的高性能、高可靠性的SiC二極管和SiC MOSFET等。
作為我國半導體行業的代表性企業之一，三安一直致力于SiC功率器件的研發和產業化。此次參會，不僅展示了三安在SiC領域的先進理念和技術，也為行業的發展提供了有益的借鑒。
IPF 2024碳化硅功率器件大會的成功舉辦，為我國SiC功率器件產業的發展提供了有力支持。三安將繼續發揮自身優勢，攜手行業伙伴，共同推動我國SiC功率器件技術邁向更高水平。
